最初の改善策は、材料の特性によってかなり制限をうけるため、この場合、あまり適切でない。 よって、後者の改善策がとられている。
半導体レーザの種類
では、実際の半導体レーザをあげて、各レーザの特徴や先の問題点について見ていきましょう。ホモ接合レーザ(注入形レーザ）
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ｐｎ接合に順方向バイアスを加えることによってキャリア注入を行い、励起状態の電子を作り、レーザ光を放出する。
上図（ｂ）を見ればわかるように、電子と正孔の拡散によって広い範囲に余計に電流が流れている。
レーザ光は、屈折率の高い接合部付近に閉じ込められているが、活性層とそれを挟むｐ形及び、ｎ形半導体の屈折率差が小さい（ｐ、ｎ形層ともに縮退しており、活性層のバンドギャップより多少広くなっている。そのため、ホモ接合でありながら、活性層に比べて、ｐ、ｎ形層の屈折率が小さくなっている。）ため、光の閉じこめ作用があまり良くなく、光が利得領域の外にしみ出してしまう。
利得領域の外側は、反転分布になってないため光は、吸収されて損失となってしまう。
また、活性層において増幅を受ける光の割合が小さいので全体として光の増幅度も小さく発進させるためには、大きなしきい値電流を必要とする。
ここで、窿Lャリアの閉じ込め作用繧「光の閉じ込め作用繧撃Qつを同時に解決するレーザが考え出された。それが、以下に述べる、ダブルヘテロレーザである。
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