松浦研究室の著者は下線で示す。
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Electrical Properties of Amorphous/Crystalline Semiconductor heterojunctions and
Determination of Gap-state Distributions in Amorphous Semiconductors
Kyoto University, 1994
ISBN4-8419-1139-1 UMI Dissertation Services
(1) Junction properties of amorphous semiconductors
Hideharu Matsuura;
in Glow-Discharge Hydrogenated Amorphous Silicon,
edited by K. Tanaka (KTK Scientific Publishers, Tokyo, 1989),
Chapter 10, pp. 227-249. （PDFファイル 275 KB)
ISBN 0-7923-0309-1
(2) Electrical properties of amorphous/crystalline-semiconductor hetero-junctions
Hideharu Matsuura and Hideyo Okushi;
in Amorphous and Micro-crystalline Semiconductor Devices Volume II:
Materials and Device Physics,
edited by J. Kanicki (Artech House, Boston, 1992),
Chapter 11, pp. 517-561. （PDFファイル 473 KB)
ISBN 0-89006-379-6
(3) 第4章 物性・プロセス評価 4.4 電気的特性評価 （PDFファイル 259 KB)
松浦秀治;
SiC素子の基礎と応用 荒井和雄・吉田貞史 共編 （オーム社、2003年）
ISDN 4-274-94885-4
(4) 絵でわかる半導体工学の基礎
松浦秀治;
ムイスリ出版, 東京, 2009,
ISBN978-4-89641-156-0
(5) 第6章 SiCの評価技術 6.1.3 Hall効果
松浦秀治;
半導体SiC技術と応用(第2版) 松波弘之、大谷昇、木本恒暢、中村孝 共編 （日刊工業新聞社、東京、2011年）
ISBN978-4-52606-754-9
(6) Detemination Methods of Densities and Energy Levels of Impurities and Defects Affecting Majority-Carrier Concentration in Next-Generation Semiconductor
Hideharu Matsuura;
in Advanced in Condensed Matter and Materials Research Vol. 10,
edited by H. Geelvinck and S. Reyst (Nova Science Publishers, Inc., New York, 2011),
Chapter 7, pp. 301-355. （PDFファイル 1.73 MB)
ISBN978-1-61209-533-2
I. Full papers
(1) Electrical properties of n-amorphous/p-crystalline silicon heterojunctions
Hideharu Matsuura, Tetsuhiro Okuno, Hideyo Okushi, and Kazunobu Tanaka;
J. Appl. Phys. 55(1984)1012-1019. (PDFファイル 575 KB)
(2) Dark current transport mechanism of p-i-n hydrogenated amorphous silicon diodes
Hideharu Matsuura, Akihisa Matsuda, Hideyo Okushi, and Kazunobu Tanaka;
J. Appl. Phys. 58(1985)1578-1583. (PDFファイル 634 KB)
(3) Preparation of highly photosensitive hydrogenated amorphous Si-C alloys from a glow-discharge plasma
A. Matsuda, T. Yamaoka, S. Wolff, M. Koyama, Y. Imanishi, H. Kataoka, H. Matsuura, and K. Tanaka;
J. Appl. Phys. 60(1986)4025-4027. (PDFファイル 301 KB)
(4) Schottky barrier junctions of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys
Hideharu Matsuura and Hideyo Okushi;
J. Appl. Phys. 62(1987)2871-2879. (PDFファイル 877 KB)
(5) A novel method for determining the gap-state profile and its application to amorphous Si１－ｘGeｘ:H films
Hideharu Matsuura;
J. Appl. Phys. 64(1988)1964-1973. (PDFファイル 1.51 MB)
(6) Effect of ion bombardment on the growth and properties of hyrogenated amorphous silicon-germanium alloys
Jerome Perrin, Yoshihiko Takeda, Naoto Hirano, Hideharu Matsuura, and Akihisa Matsuda;
Jpn. J. Appl. Phys. 28(1989)5-11. （PDFファイル 1.11 MB）
(7) Hydrogenated amorphous-silicon/crystalline-silicon heterojunctions: Properties and Applications
Hideharu Matsuura;
IEEE Trans. ED-36(1989)2908-2914. (PDFファイル 176 KB)
(8) Simulation of high-frequency capacitance-voltage characteristics of amorphous/crystalline heterojunctions
Hideharu Matsuura;
J. Appl. Phys. 68(1990)1138-1142. (PDFファイル 886 KB)
(9) Interface electronic properties between silicon and silicon nitride deposited by direct photochemical vapor deposition
Hideharu Matsuura, Masahiro Yoshimoto and Hiroyuki Matsunami:
Jpn. J. Appl. Phys. 35(1996)2614-2618. （PDFファイル 802 KB）
(10) 多数キャリヤ密度の温度依存性を用いた半導体中の不純物評価法
松浦秀治、園井量英
電子情報通信学会論文誌 J80-CII(1997)95-100.（PDFファイル 317 kB）
(11) A simple graphical method for determining densities and energy levels of donors and acceptors in semiconductor from temperature dependence of majority carrier concentration
Hideharu Matsuura:
Jpn. J. Appl. Phys. 36(1997)3541-3547. (PDFファイル 638 kB, 1.1 MB)
(12) A simple graphical method for evaluating the polarization and relaxation times of dipoles or densities and energy levels of traps in a dielectric film from transient discharge current.
Hideharu Matsuura:
Jpn. J. Appl. Phys. 36(1997)3569-3575. (PDFファイル 1 MB)
(13) A method for evaluating the densities and energy levels of impurities in semiconductors from the temperature dependence of majority-carrier concentration
Hideharu Matsuura and Kazuhide Sonoi:
Electronics and Communications in Japan, Part 2, 80(1997)37-42.(PDF file 163 KB)
(14) Evaluation of hole traps in 10-MeV proton-irradiated p-type silicon from Hall-effect measurements
Hideharu Matsuura, Yoshitsugu Uchida, Tadashi Hisamatsu and Sumio Matsuda
Jpn. J. Appl. Phys. 37(1998)6034-6040. (PDFファイル 1 MB)
(15) Nitrogen donor concentrations and its energy levels in 4H-SiC uniquely determined by a new graphical method based on Hall-effect measurement
Hideharu Matsuura, Tsunenobu Kimoto and Hiroyuki Matsunami
Jpn. J. Appl. Phys. 38(1999)4013-4016.（PDFファイル 117 kB）
(16) Calculation of band bending in ferroelectric semiconductor
Hideharu Matsuura
New J. Phys. 2(2000)8.1-8.11.（PDFファイル 254 kB）
(17) Determination of Donor Densities and Donor Levels in 3C-SiC Grown from Si2(CH3)6 Using Hall-Effect Measurements
Hideharu Matsuura, Yasuichi Masuda, Yi Chen, and Shigehiro Nishino
Jpn. J. Appl. Phys. 39(2000) 5069-5075.（PDFファイル 161 kB）
(18) A Graphical Peak Analysis Method for Determining Densities and Emission Rates of Traps in Dielectric Film from Transient Discharge Current
Hideharu Matsuura,, Takashi Hase, Yasuhiro Sekimoto, Masaharu Uchikura and Masaru Simizu:
J. Appl. Phys. 91(2002)2085-2092. (PDFファイル 132 kB)
(19) Acceptor Densities and Acceptor Levels in Undoped GaSb Determined by Free Carrier Concentration Spectroscopy
Hideharu Matsuura, Kouhei Morita, Kazuhiro Nishikawa, Takeo Mizukoshi, Masaharu Segawa and Wataru Susaki
Jpn. J. Appl. Phys. 41(2002)496-500. (PDFファイル 140 kB)
(20) The influence of excited states of deep dopant on majority-carrier concentration in a wide-bandgap semiconductor
Hideharu Matsuura
New J. Phys. 4(2002)12.1-12.15. (PDFファイル 228 kB)
(21) Occupation probability for acceptor in Al-implanted p-type 4H-SiC
Hideharu Matsuura, Koichi Sugiyama, Kazuhiro Nishikawa, Takashi Nagata, and Nobuya Fukunaga
J. Appl. Phys. 94(2003)2234-2241. (PDFファイル 129 kB)
(22) Investigation of a distribution function suitable for acceptors in SiC
Hideharu Matsuura
J. Appl. Phys. 95(2004)4213-4218. (PDFファイル 128 kB)
(23) Dependence of acceptor levels and hole mobility on acceptor density and temperature in Al-doped p-type 4H-SiC epilayers
Hidaharu Matsuura, Masahiko Komeda, Sou Kagamihara, Hirofumi Iwata, Ryohei Ishihara, Tetsuo Hatakeyama, Takatoshi Watanabe, Kazutoshi Kojima, Takashi Shinohe, and Kazuo Arai
J. Appl. Phys. 96(2004)2708-2715. (PDFファイル 151 kB)
(24) Parameters required to simulate electric characteristics of SiC devices for n-type 4H-SiC
Sou Kagamihara, Hidaharu Matsuura, Tetsuo Hatakeyama, Takatoshi Watanabe, Mitsuhiro Kushibe, Takashi Shinohe, and Kazuo Arai
J. Appl. Phys. 96(2004)5601-5606. (PDFファイル 102 kB)
(25) Determination of densities and energy levels of donors in free-standing undoped 3C-SiC
Hidaharu Matsuura, Hiroyuki Nagasawa, Kuniaki Yagi, and Takamitsu Kawahara
J. Appl. Phys. 96(2004)7346-7351. (PDFファイル 108 kB)
(26) Ionization of deep Te donor in Te-doped Al0.6Ga0.4Sb epilayers
Hidaharu Matsuura and Kazuhiro Nishikawa
J. Appl. Phys. 97(2005)093711-1 -7. (PDFファイル 125 kB)
(27) リフレッシュ理科教室(関西支部)開催報告
松浦秀治、越川孝範
応用物理教育 第29巻2号(2005) 47-52. (PDFファイル 506 kB)
(26) Mechanisms of reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by electron irradiation
Hidaharu Matsuura, Sou Kagamihara, Yuji Itoh, Takeshi Ohshima and Hishayoshi Itoh
Microelectronic Engineering 83(2006)17-19. (PDFファイル 105 kB)
(27) Relationship between defects induced by irradiation and reduction of hole concentration in Al-doped 4H-SiC
Hidaharu Matsuura, Sou Kagamihara, Yuji Itoh, Takeshi Ohshima and Hishayoshi Itoh
Physica B 376-377(2006)342-345. (PDFファイル 143 kB)
(28) Si Substrate Suitable for Radiation-Resistant Space Solar Cells
Hidaharu Matsuura, Hirofumi Iwata, Sou Kagamihara, Ryohei Ishihara, Masahiko Komeda, Hideaki Imai, Masanori Kikuta, Yuuki Inoue, Tadashi Hisamatsu, Shirou Kawakita, Takeshi Ohshima and Hishayoshi Itoh
Jpn. J. Appl. Phys. 45(2006)2648-2655. (PDFファイル 230 kB)
(29) Influence of excited states of a deep substitutional dopant on majority-carrier concentration in semiconductors
Hidaharu Matsuura
Phys. Rev. B 74(2006)245216. (PDFファイル 140 kB)
(30) A graphical peak analysis method for characterizing impurities in SiC, GaN and diamond form temperature-dependent majority-carrier concentration
Hidaharu Matsuura
J. Materials Science: Materials in Electronics 19(2008)720-726. (PDFファイル 111 kB)
(31) Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HgI2: application of discharge current transeint sepectroscopy
Hidaharu Matsuura, Miyuki Takahashi, Shunji Nagata, and Kazuo Taniguchi
J. Materials Science: Materials in Electronics19(2008). (PDFファイル 219 kB)
(32) Mechanisms of Reduction in Hole Concentration in Al-Implanted p-Type 6H-SiC by 1 MeV Electron Irradiation
Hidaharu Matsuura, Keisuke Izawa, Nobumasa Minohara, and Takeshi Ohshima
Jpn. J. Appl. Phys. 47(2008)5355-5357. (PDFファイル 90.9 kB)
(33) Characterization of Intrinsic Defects in High-Purity High-Resistivity p-Type 6H-SiC
Hideharu Matsuura, Hirokazu Yanase, and Miyuki Takahashi
Jpn. J. Appl. Phys. 47(2008)7052-7055. (
147 KB)
(34) Mechanisms of changes of hole concentration in Al-doped 6H-SiC by electron irradiation and annealing
Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Yoshiko Myojin, Takunori Nojiri, Yukei Matsuyama, and Takashi Ohshima
Physica B 404(2009)4755-4757. (
(35) X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線に対する高感度化
松浦秀治, 高橋美雪, 小原一徳, 山本和代, 前田健寿, 加川義隆
電子情報通信学会論文誌 C Vol. J93-C, No. 9, 2010, pp. 303-310. (
(36) Reduction of Electron Concentration in Lightly N-Doped n-Type 4H-SiC Epilayers by 200 keV Electron Irradiation Mechanisms of Reduction in Hole Concentration in Al-Implanted p-Type 6H-SiC by 1 MeV Electron Irradiation
Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Takunori Nojiri, Yoshiko Myojin, Yukei Matsuyama, Shinobu Onoda, and Takeshi Ohshima
Open Applied Physics Journal 4(2011)37-40. (
II. Letters
(1) Ohmic contact properties of magnesium evaporated onto undoped and P-
doped a-Si:H
Hideharu Matsuura, Tetsuhiro Okuno, Hideyo Okushi, Satoshi Yamasaki,
Akihisa Matsuda, Nobuhiro Hata, Hidetoshi Oheda, and Kazunobu
Tanaka;
Jpn. J. Appl. Phys. 22(1983)L197-L199. (PDFファイル 388 KB)
(2) Metal-semiconductor junctions and amorphous-crystalline hetero-
junctions using B-doped hydrogenated amorphous silicon
Hideharu Matsuura, Akihisa Matsuda, Hideyo Okushi, Tetsuhiro Okuno,
and Kazunobu Tanaka;
Appl. Phys. Lett. 45(1984)433-435. (PDFファイル 246 KB)
(3) Density of mid-gap states for undoped a-Si１－ｘGeｘ:H and a-Si:H
determined by steady-state heterojunction-monitored capacitance
method
Hideharu Matsuura;
Jpn. J. Appl. Phys. 27(1988)L513-L515. （PDFファイル 405 KB）
(4) Density-of-state distribution for undoped a-Si:H and a-Si１－ｘGeｘ:H
determined by transient heterojunction-monitored capacitance method
Hideharu Matsuura;
Jpn. J. Appl. Phys. 27(1988)L516-L518. （PDFファイル 421 KB）
(5) Thermal recovery process of the midgap-state profile of light-soaked
undoped hydrogenated amorphous silicon
Hideharu Matsuura;
Appl. Phys. Lett. 54(1989)344-346. (PDFファイル 465 KB)
(6) Midgap-state profiles in undoped amorphous-silicon-based alloys
H. Matsuura, Z E. Smith, A. Matsuda, S. Yokoyama, M. Tanaka, M. Ueda
and K. Tanaka;
Phil. Mag. Lett. 59(1989)109-114. (PDF file 90 KB)
(7) Discharging current transient spectroscopy for evaluating traps in
insulators
Hideharu Matsuura, Masahiro Yoshimoto and Hiroyuki Matsunami:
Jpn. J. Appl. Phys. 34(1995)L185-L187. （PDFファイル 551 KB）
(8) Increase of leakage current and trap densities caused by bias stress
in silicon nitride prepared by photo-chemical vapor deposition
Hideharu Matsuura, Masahiro Yoshimoto and Hiroyuki Matsunami:
Jpn. J. Appl. Phys. 34(1995)L371-L374. （PDFファイル 625 KB）
(9) A simple graphic method for evaluating densities and energy levels
of impurities in semiconductor from temperature dependence of
majority-carrier concentration
Hideharu Matsuura and Kazuhide Sonoi:
Jpn. J. Appl. Phys. 35(1996)L555-L557. (PDFファイル 402 kB)
(10) A new structure of an n-channel junction field-effect transistor embedded
in a pin diode for an X-ray detector
Hideharu Matsuura and Katsuhiko Nishida:
Jpn. J. Appl. Phys. 37(1998)L115-L118.（PDFファイル 211 kB）
(11) A new n-channel junction field-effect transistor embedded
in the i layer of a pin diode
Hideharu Matsuura, Kenji Akatani, Michihisa Ueda, Kazushige Segawa, Hidemasa Tomozawa,
Katsuhiko Nishida and Kazuo Taniguchi
Jpn. J. Appl. Phys. 38(1999)L1015-L1017.（PDFファイル 272 kB, 1 MB）
(12) Temperature dependence of electron concentration in type-converted silicon by 1x1017 cm-2-fluence of 1-MeV electrons
Hideharu Matsuura, Yoshitsugu Uchida, Naoto Nagai, Tadashi Hisamatsu, Takashi Aburaya and Sumio Matsuda
Appl. Phys. Lett. 76(2000)2092-2094. (PDFファイル 51.8 kB）
(13) Decrease in Al acceptor density in Al-doped 4H-SiC by irradiationwith 4.6 MeV electrons
Hideharu Matsuura, Kouichi Aso, Sou Kagamihara, Hirofumi Iwata, Takuya Ishida, and Kazuhiro Nishikawa
Appl. Phys. Lett. 83(2003)4981-4983. (PDFファイル 53.5 kB）
III. Brief Communication
(1) Accurate Determinatin of Acceptor Densities and Energy Levels in Undoped
InGaSb from Temperature Dependence of Hole Concentration
Hidaharu Matsuura, Kazhuhiro Nishikawa, Masaharu Segawa and Wataru Susaki
Jpn. J. Appl. Phys. 45(2006)6376-6378. (PDFファイル 156 KB)
(2) Accurate Determinatin of Density and Energy Level of B Acceptor in Diamond from Temperature Dependence of Hole Concentration
Hidaharu Matsuura, Tatsuya Morizono, Yuuki Inoue, Sou Kagamihara, Takeshi Ohshima and Hishayoshi Itoh
Jpn. J. Appl. Phys. 45(2006)6373-6375. (PDFファイル 128 KB)
IV. Short notes
(1) A simple graphical method for evaluating dipole relaxation time in
dielectric
Hideharu Matsuura:
Jpn. J. Appl. Phys. 35(1996)2216-2217. (PDFファイル 342 kB)
(2) Evaluating polarization in dielectrics with continuously distributed
dipole relaxation time by discharge current transient spectroscopy
Hideharu Matsuura:
Jpn. J. Appl. Phys. 35(1996)4711-4712. (PDFファイル 310 kB)
(3) Evaluation of densities and energy levels of donors and acceptors in
compensated semiconductor from temperature dependence of majority
carrier concentration
Hideharu Matsuura:
Jpn. J. Appl. Phys. 35(1996)5297-5298. (PDFファイル 324 kB)
(4) Evaluating densities and energy levels of impurities with close
energy levels in semiconductor from temperature dependence of
majority-carrier concentration
Hideharu Matsuura:
Jpn. J. Appl. Phys. 35(1996)5680-5681. (PDFファイル 299 kB)
(5) An improved method for determining densities and energy levels of dopants
and traps by means of Hall-effect measurement
Hideharu Matsuura：
Jpn. J. Appl. Phys. 38(1999)5176-5177.（PDFファイル 81 kB）
(6) Investigation of Transient Reverse Currents in X-Ray Detector Pin Diodes
by Discharge Current Transient Spectroscopy
Hideharu Matsuura and Kazushige Segawa：
Jpn. J. Appl. Phys. 39(2000)178-179.（PDFファイル 53 kB）
（７）Difference between Traps Determined from Transient Capacitance and Transient Reverse Current
Hideharu Matsuura, Kazushige Segawa and Tatsuya Ebisui:
Jpn. J. Appl. Phys. 39(2000)2714-2715. (PDFファイル 79 kB）
（8 ）Annealing Behavior of Donorlike Defects Induced by High-Fluence Irradiation of High-Energy Particels in p-Type Silicon
Hideharu Matsuura, Takuya Ishida, Taishi Kirihataya, Osamu Anzawa and Sumio Matsuda
Jpn. J. Appl. Phys. 42(2003)5187-5188. (PDFファイル 81.7 kB）
V. Proceedings
(1) Fundamental properties of MIS solar cells using Mg-p Si system
Hideharu Matsuura, Shigehiro Nishino, and Hiroyuki Matsunami;
Proc. 2nd Photovoltaic Science and Engineering Conf., Tokyo, 1980;
Jpn. J. Appl. Phys. 20(1981) Suppl. 20-2, pp.51-55.(PDFファイル 548 kB）
(2) Characteristics of silicon inversion layer solar cells
Hideharu Matsuura, Hisao Fujii, Hitoshi Takai, and Hiroyuki
Matsunami;
Proc. 3rd Photovoltaic Science and Engineering Conf., Kyoto, 1982;
Jpn. J. Appl. Phys. 21(1982) Suppl. 21-2, pp. 117-120.(PDFファイル 511 kB）
(3) Electrical properties of n－-p amorphous-crystalline silicon hetero-
junctions
Hideharu Matsuura, Tetsuhiro Okuno, Hideyo Okushi, Nobuhiro Hata,
Satoshi Yamasaki, Hidetoshi Oheda, Akihisa Matsuda, and Kazunobu
Tanaka;
Ext. Abs. 15th Conf. Solid State Devices & Materials, Tokyo, 1983,
pp. 185-188. (PDF file 97 KB)
(4) Schottky barrier junctions of hydrogenated amorphous silicon-
germanium alloys
Hideharu Matsuura, Hideyo Okushi, and Kazunobu Tanaka;
12th Int. Conf. Amorphous & Liquid Semiconductors, Prague, 1987;
J. Non-Cryst. Solids 97&98(1987)963-966.(PDF file 69 KB)
(5) The density-of-state distribution in undoped a-Si:H and a-SiGe:H
determined by heterojunctions with c-Si
Hideharu Matsuura and Kazunobu Tanaka;
Meter. Res. Soc. Symp, Reno, 1988;
Meter. Res. Soc. Symp. Proc. 118(1988)647-652. (PDF file 122 KB)
(6) Optically and thermally induced reversible changes of midgap states
in undoped a-Si:H
Hideharu Matsuura;
13th Int. Conf. Amorphous & Liquid Semiconductors Asheville, 1989;
J. Non-Cryst. Solids 114(1989)609-611. (PDF file 98 KB)
(7) Donor Densities and Donor Levels in
3C-SiC Determineb by a New Method Based on
Hall-Effect Measurements
H. Matsuura, Y. Masuda, Y. Chen, and S. Nishino
Third European Conference on Silicon
Carbide and Related Materials, Kloster Banz,
Germany, 2000;
Materials Science Forum 353-356(2001)495-498.
(
48.1kB）
(8) Influence of Excited States of Deep Acceptors on Hole Concentrations
in SiC
H. Matsuura
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, 2001;
Materials Science Forum 389-393(2002)679-682. ( Proceeding 112 kB）
(9) Dependence of Hole Concentration in p-Type Silicon Solar Cell Wafers
on Temperature and on Position within the Polycrystalline Ingot
H. Matsuura, T. Ishida, K. Nishikawa, N. Fukunaga and T. Kuroda
International Conference on Polycrystalline Semiconductors VII,
Nara, Japan, 2002;
Solid State Phenomena 93(2003)141-146. ( Proceeding 169 kB）
(10) Real Relationship between Acceptor Density and Hole Concentration
in Al-Implanted 4H-SiC
H. Matsuura, K. Sugiyama, K. Nishikawa, T. Nagata and N. Fukunaga
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Linkoping, Sewden, 2002;
Materials Science Forum 433-436(2003)447-450. ( Proceeding 136 kB）
(11) Influence of excited states of Mg acceptors on hole concentration
in GaN
H. Matsuura, D. Katsuya, T. Ishida, S. Kagamihara, K. Aso, H. Iwata, T. Aki, S.-W. Kim, T. Shibata, and T. Suzuki
5th International Conference on Nitride Semiconductors, Nara, Japan, 2003;
phys. stat. sol. c 0(2003)2214-2218. ( Proceeding 210 kB）
(12) Enhancement of Ionization Efficiency of Acceptors by their Excited States in Heavily Doped p-type GaN and Wide Bandgap Semiconductors
H. Matsuura
The fifth International Conference on Nitride Semiconductors, Nara, Japan, 2003;
Electrochemical Society Proceedings 2004-06(2004)570-581. PDF file 302 KB
(13) Reduction in Al acceptor Density by Electron Irradiation in Al-doped 4H-SiC
Hideharu Matsuura, Koichi Aso, So Kagamihara, Hirofumi Iwata, Takuya Ishida and Kazuhiro Nishikawa
10th International Conference on Silicon Carbide
and Related Materials, Lyon, France, October 5-10, 2003
Materials Science Forum 457-460(2004)751-754 Proceeding 181 KB
(14) Parameters required to simulate electric characteristics of SiC devices
So Kagamihara, Masahiko Komeda, Hideharu Matsuura, Tetsuo Hatakeyama, Takatoshi Watanabe, Mitsuhiro Kushibe, Takashi Shinohe, and Kazuo Arai
31st International Symposium on Compound Semiconductors, Seoul, Korea, September 12-16, 2004
IoP Conf. Ser. 184(2005)325-328 Proceeding 127 kB
(15) Enhancement of Ionization Efficiency of Acceptors by Their Excited Sates in Heavily Doped Wide Bandgap Semiconductors
Hideharu Matsuura
31st International Symposium on Compound Semiconductors, Seoul, Korea, September 12-16, 2004
IoP Conf. Ser. 184(2005)329-332 Proceeding 210 kB
(16) Enhancement of Ionization Efficiency of Acceptors by Their Excited Sates in Heavily Doped p-Type GaN and Wide Bandgap Semiconductors
Hideharu Matsuura
2004 Joint International Meeting, Honolulu, Hawaii, USA, October 3-8, 2004
ECS Proceedings 2004-06(2004)570-581 Proceeding 302 kB
(17) Mechanisms fo reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by electron irradiation
H. Matsuura, S. Kagamihara, Y. Itoh, T. Ohshima, and Y. Itoh
International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2005), Singapore, July 3-8, 2005
Microelectronic Engineering 83(2006)17-19 Proceeding 105 KB
(18) Relationship between defects induced by irradiation and reduction of hole concentraiton in Al-doped 4H-SiC
H. Matsuura, S. Kagamihara, Y. Itoh, T. Ohshima, and Y. Itoh
The 23rd International Conference on Dfects in Semiconductors (ICDS), Awaji Island, Japan, July 24-29, 2005
Physica B 376-377(2006)342-345 Proceeding 145KB
(19) Mechanisms of Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons
H. Matsuura, N. Minohara, Y. Inagawa, M. Takahashi, T. Ohshima, and Y. Itoh
6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2006), Newcastle upon Tyne, UK, September 3-7, 2006
Materials Science Forum 556-557(2007)379-382 Proceeding 170 KB
(20) Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HgI2: application of discharge current transient spectroscopy
H. Matsuura, M. Takahashi, S. Nagata, and K. Taniguchi
14th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XIV 2007), Feyatteville, Arkansas, USA, May 15-20, 2007
J. Materials Science: Materials in Electronics
19(2008)810-814. ( 218 KB)
(21) A graphical peak analysis method for characterizing impurities in SiC, GaN and diamond from temperature-dependent majority-carrier concentration
H. Matsuura
14th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XIV 2007), Feyatteville, Arkansas, USA, May 15-20, 2007
J. Materials Science: Materials in Electronics 19(2008)720-726.
( 111 KB)
(22) Characteristics of Traps in Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transinet Spectroscopy
Miyuki Takahashi, and Hideharu Matsuura
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007 (ICSCRM2007), Otsu, Siga, Japan, October 14-19, 2007
Marerials Science Furom 600-603(2009)393-396. ( 225 KB)
(23) Determination of Intrinsic Defects in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectrscopy
Hideharu Matsuura, Miyuki Takahashi, Yoshitaka Kagawa, Shoichi Tano, and Takayuki Miyake
7th European COnference on Silicon Carbide and Related materials (ECSCRM2008), Barcelona, Spain, September 7-11, 2008
Marerials Science Furom 615-617(2009)385-388. ( 304 KB)
(24) Mechanisms of changes of hole concentration in Al-doped 6H-SiC by
electron irradiation and annealing
Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Yoshiko Myojin, Takunori Nojiri, Yukei Matsuyama, and Takashi Ohshima
25th International Conference on Defects in semiconductors (ICDS-25), St. Petersburg, Russia, July 20-24, 2009
Physica B 404(2009)4755-4757. ( 160 KB)
(25) Reduction in Majority-Carrier Concentration in Lightly-Doped 4H-SiC Epilayers by Electron Irradiation
Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Takunori Nojiri, Shinobu Onoda, and Takeshi Ohshima
8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2010), Oslo, Norway, August 29-September 2, 2010
Materials Science Forum 679-680(2011)181-184. ( 159 KB)
(26) Effects of Sacrifical Oxidatin on Characterization of Defects in Hi-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy
Seiji Nishikawa, Ryota Okada, and Hideharu Matsuura
International Conference on SiC and Related Materials 2011, Cleveland, Ohio, USA, September 11-16, 2011
Materials Science Forum 717-720(2012)271-274. ( 277 KB)
(27) Possibilities for Thick, Simple-Structure Silicon X-Ray Detectors Operating by Peltier Cooling
Hideharu Matsuura, Derek Hunninger, Ryota Okada, Seigo Kitanoya, Seiji Nishikawa, and Keith Decker
International Conference on Materials and Applications for Sensors and Transducers (IC-MAST2011), Kos Island, Greece, May 13-17, 2011
Key Engineering Materials 495( 2012)294-297. ( 369 KB)
(1) 2nd Photovoltaic Science and Engineering
Conf., Tokyo, 1980
Fundamental properties of MIS solar
cells using Mg-p Si system
Hideharu Matsuura, Shigehiro Nishino, and Hiroyuki Matsunami
(2) 第４２回応用物理学会学術講演会、１９８１年秋
MIS反転型太陽電池
松浦秀治、藤井久雄、松波弘之
(3) 3rd Photovoltaic Science and Engineering
Conf., Kyoto, 1982
Characteristics of silicon inversion
layer solar cells
Hideharu Matsuura, Hisao Fujii, Hitoshi Takai, and Hiroyuki Matsunami
(4) 第３０回応用物理学関係連合講演会、１９８３年春
アモルファス半導体を用いたSchottky
barrierのC-V特性の理論
松浦秀治、大串秀世、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、松田彰久、田中一宜
(5) 第３０回応用物理学関係連合講演会、１９８３年春
Mg/a-Si:H接合特性（undoped膜への直接オーミック電極）
奥野哲啓、松浦秀治、大串秀世、松田彰久、戸田誠、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜
(6) 第３０回応用物理学関係連合講演会、１９８３年春
undoped a-Si:H/p c-Siヘテロ接合の電気的特性
松浦秀治、奥野哲啓、大串秀世、松田彰久、戸田誠、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜
(7) 15th Conf. Solid State Devices &
Materials, Tokyo, 1983
Electrical properties of n－-p amorphous-crystalline silicon heterojunctions
Hideharu Matsuura, Tetsuhiro Okuno, Hideyo Okushi, Nobuhiro
Hata,
Satoshi Yamasaki, Hidetoshi Oheda,
Akihisa Matsuda, and Kazunobu Tanaka
(8) 第４４回応用物理学会学術講演会、１９８３年秋
B-doped a-Si:Hのショットキー接合および単結晶とのヘテロ接合
松浦秀治、松田彰久、大串秀世、奥野哲啓、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜
(9) 第４５回応用物理学会学術講演会、１９８４年秋
pin a-Si:H素子の電流ー電圧特性のｉ層膜依存
松浦秀治、松田彰久、大串秀世、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜、田中秀夫、宮地賢司、加賀隆生
(10) 第４６回応用物理学会学術講演会、１９８５年秋
a-Si:H膜へのボロンのドーピング機構
松浦秀治、松田彰久、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、大串秀世、田中一宜
(11) 電子通信学会研究会（ＳＳＤ８６－２７）、１９８６年
a-Si:H/c-Siヘテロ接合の電気的特性
松浦秀治、大串秀世、田中一宜 (PDF file 215KB)
(12) 第４７回応用物理学会学術講演会、１９８６年秋
Au/a-SiGe:H Schottky barrier素子の電流ー電圧特性
松浦秀治、松田彰久、今西雄一郎、片岡春樹、大串秀世、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜
(13) 第４７回応用物理学会学術講演会、１９８６年秋
a-SiGe:H膜のICTS信号
松浦秀治、大串秀世、松田彰久、蛯名博志、星野巽、今西雄一郎、片岡春樹、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜
(14) 12th Int. Conf. Amorphous & Liquid
Semiconductors, Prague, 1987
Schottky barrier junctions of hydrogenated
amorphous silicon-germanium alloys
Hideharu Matsuura, Hideyo Okushi, and Kazunobu Tanaka
(15) 第３５回応用物理学関係連合講演会、１９８８年春
Undoped a-Si:Hとa-SiGe:Hの局在準位密度の評価（I）
松浦秀治、Z E. Smith、松田彰久、大串秀世、横山誠一郎、田中光浩、上田仁、秦信宏、大枝秀俊、田中一宜
(16) 第３５回応用物理学関係連合講演会、１９８８年春
Undoped a-Si:Hとa-SiGe:Hの局在準位密度の評価（II）
松浦秀治、大串秀世、松田彰久、秦信宏、大枝秀俊、田中一宜
(17) Materials Research Society Symposium,
Reno Nev., 1988
The density-of-state distribution in
undoped a-Si:H and a-SiGe:H
determined by heterojunctions with
c-Si
Hideharu Matsuura and Kazunobu Tanaka
(18) 第４９回応用物理学会学術講演会、１９８８年秋
Undoped a-SiC:Hの局在準位密度の評価
松浦秀治、Z E. Smith、松田彰久、田中光浩、上田仁、横山誠一郎、秦信宏、大枝秀俊、大串秀世、田中一宜
(19) 第４９回応用物理学会学術講演会、１９８８年秋
アニール中のa-Si:H膜の局在準位密度の変化
松浦秀治、松田彰久、大串秀世、秦信宏、大枝秀俊、田中一宜
(20) Int. Topical Conf. Hydrogenated Amorphous
Silicon Devices and
Technology, Yorktown Heights N.Y.,
1988
(Invited)
Properties of amorphous silicon/crystalline
silicon hetero-junctions
Hideharu Matsuura
(21) 第３６回応用物理学関係連合講演会、１９８９年春
光照射と急冷によるa-Si:Hのmidgap準位の変化
松浦秀治、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、松田彰久
(22) 13th Int. Conf. Amorphous & Liquid
Semiconductors, Asheville N.C.,1989
Optically and thermally induced reversible
changes of midgap states in undoped a-Si:H
Hideharu Matsuura
(23) 第５０回応用物理学会学術講演会、１９８９年秋
μc-Si:Hにおける異常な電流ー電圧特性
松浦秀治、鈴木淳、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、松田彰久
(24) 電子情報通信学会 信学技報(SDM94-147)、１９９４年１１月
光ＣＶＤ法による窒化シリコン膜のシリコンとの界面特性改善と膜中トラップの評価方法
松浦秀治、吉本昌広、松波弘之
(25) 第４２回応用物理学関係連合講演会、１９９５年春
絶縁膜中トラップの新しい評価方法：放電電流過渡分光法
松浦秀治、吉本昌広、松波弘之
(26) 第４２回応用物理学関係連合講演会、１９９５年春
シリコン窒化膜の浅いトラップ密度と漏れ電流との関係
松浦秀治、吉本昌広、松波弘之
(27) 第４３回応用物理学関係連合講演会、１９９６年春
二種類以上のドーパントを含む半導体の評価方法
松浦秀治、園井量英
(28) 第４３回応用物理学関係連合講演会、１９９６年春
Carrier密度の温度依存性からの半導体中の不純物準位の評価
園井量英、松浦秀治
(29) 第４５回応用物理学関係連合講演会、１９９８年春
ホール測定によるトラップの評価（陽子線照射でシリコン中に生成したトラップ）
松浦秀治、内田佳亜、久松正、松田純夫（PDFファイル、22 kB）
(30) 電子情報通信学会 信学技報（SDM98-169) １９９８年１２月
多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価法によるSiC中のドナー評価
松浦秀治、木本恒暢、松波弘之 [PDFファイル126kB（本文）、PDFファイル248kB（OHP）]
(31) 電子情報通信学会 信学技報（SDM98-180）１９９８年１２月
放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価
長谷貴志、松浦秀治 [PDFファイル103kB（本文）]
(32) 第４６回応用物理学関係連合講演会、１９９９年春
窒素添加4H SiCのドナー準位の評価－ホール効果測定を用いた新しい評価方法－
松浦秀治、黒田雅世、平野善信、木本恒暢、松波弘之 （PDFファイル 28 kB、PDF OHP 140 kB）
(33) 第４６回応用物理学関係連合講演会、１９９９年春
放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価
（PDFファイル 15 kB）
長谷貴志、松浦秀治
(34) 第60回応用物理学会学術講演会、１９９９年秋
Si2(CH3)6を用いた3C-SiCのドナー準位の評価－ホール効果測定を用いた評価－
松浦秀治、増田泰一、西野茂弘 [PDFファイル 21 kB、PDFファイル 79 kB（OHP）]
(35) 第60回応用物理学会学術講演会、１９９９年秋
HMDSを用いた3C-SiCのCVD成長とその電気的特性 (II)
増田泰一、陳 義、松浦秀治、播磨 弘、西野茂弘 （PDF ファイル 33 kB)
(36) International Conference on Silicon
Carbide and Related Materials 1999
North Carolina, U.S.A., 1999;
Electrical properties od 3C-SiC grown
on Si by CVD method using Si2(CH3)6
Y. Masuda, Y. Chen, H. Matsuura, H. Harima and S. Nishino （PDF ファイル 242 kB)
(37) ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第8回講演会
つくば国際会議場 1999年12月16日ー17日
Si2(CH3)6を用いた3C-SiC中のドナー準位の評価
松浦秀治、増田泰一、陳義、西野茂弘 (PDFファイル 31.7 kB、 ポスター用PDFファイル 139 kB）
(38) 第47回応用物理学関係連合講演会、2000年春
放電電流過渡分光法を用いた強誘電体薄膜中からのキャリア放出の評価方法
長谷貴志、関本安泰、松浦秀治 (PDFファイル 18.6 kB、 ポスター用PDFファイル 273 kB）
(39) 第47回応用物理学関係連合講演会、2000年春
PZT薄膜におけるキャリアの放出割合の温度依存性
関本安泰、長谷貴志、松浦秀治、清水勝 （PDFファイル 12.7 kB）
(40) 第47回応用物理学関係連合講演会、2000年春
10 MeV陽子線照射によるp型Si中の正孔密度の減少の基板依存性
水越猛夫、西川和弘、上野裕貴、立川美幸、西川明宏、松浦秀治、久松正、安沢修、松田純夫 （PDFファイル 11.9 KB）
(41) 第47回応用物理学関係連合講演会、2000年春
10 MeV陽子線照射でシリコン中に生成されたトラップの評価－基板依存性－
西川和弘、水越猛夫、上野裕貴、立川美幸、西川明宏、松浦秀治、久松正、安沢修、松田純夫 （PDFファイル 16.4 kB）
(42) 1st International Workshop on Ultra-Low-Loss
Power Device Technology
Nara, Japan, May 31-June 2, 2000;
Donor Densities and Donor Levels
in SiC Uniquely Determined
by a New Method Based on Hall-Effect
Measurements
H. Matsuura, Y. Masuda, Y. Chen, T. Kimoto, S. Nishino and H. Matsunami
（PDF ファイル 65 kB, Poster 255 kB)
(43) Third European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
Conference Center Kloster Banz,
Germany, September 3-7, 2000
Donor Densities and Donor Levels in 3C-SiC Determined by a New
Method Based on Hall-Effect Measurements
Hideharu Matsuura, Yasuichi Masuda, Yi Chen, and Shigehiro Nishino（PDFファイル 24.5 kB, proceeding 118 kB Poster 63.8 kB）
(44) 平成12年度電気関係学会関西支部連合大会
放電電流過渡分光法を用いた強誘電体PZT薄膜のトラップ評価
関本安泰、長谷貴志、内倉政治、松浦秀治、清水勝 （PDFファイル 19.5kB）
(45) 20th Electronic Materials Symposium
Nara, Japan, June 20-22, 2001;
Determination of Densities and
Energy Levels of Impurities and Traps in
Semiconductor
by a New Method Based on Hall-Effect
Measurements
H. Matsuura, K. Nishikawa, K. Morita, M. Segawa and W. Susaki (PDFファイル 110kB)
(46) International Conference on Silicon
Carbide and Related Materials 2001
Tsukuba, Japan, October 28-November
2, 2001
Influence of Excited States of Deep Acceptors on Hole Concentration
in SiC
Hideharu Matsuura (PDFファイル abstract 63 kB, proceeding 135 kB, poster216 kB)
(47) 第49回応用物理学関係連合講演会、2002年春
ホール効果測定によるAl-doped 4H-SiC中のアクセプタ密度と準位の評価
椙山浩一、西川和弘、上野裕貴、北川修久、水越猛夫、立川美幸、永田敬、西川明宏、福永展也、松浦秀治 （PDFファイル 予稿 76 KB、OHP 168 ｋB）
(48) 第49回応用物理学関係連合講演会、2002年春
ホール効果測定によるMBE法で成長させたInGaSb及びAlGaSb中の不純物密度と準位の評価
西川和弘、福永展也、松浦秀治、瀬川昌治、須﨑渉 （PDFファイル 予稿 16.4 kB、OHP 540 kB）
(50) International Conference on Polycrysatlline Semiconductors 2002
Nara, Japan, September 10-14, 2002
Relationship between Abnormal Temperature Dependence of Hole
Concentration in p-type Polycrystalline Si Wafers and Efficiency of Solar
Cell
H. Matsuura, T. Ishida, K. Nishikawa, N. Fukunaga and T. Kuroda (PDFファイル abstract 72 kB, proceeding 169kB)
(51) 第63回応用物理学会学術講演会、2002年秋
太陽電池用多結晶シリコンの正孔密度の温度依存性と変換効率に関する研究
石田卓也、西川和弘、福永展也、黒田知宏、松浦秀治 （PDFファイル 予稿 36 KB）
(52) 5th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor
Devices for Space Application
Takasaki, Japan, October 9-11, 2002
Annealing Behavior of DOnors Formed by High-Fluence Irradiation
of High-Energy Particles in p-type Silicon
H. Matsuura, T. Ishida, Y. Kirihataya, O. Anzawa and S. Matsuda (PDFファイル abstract 16 kB, proceeding 112 kB)
(53) 電子情報通信学会 信学技報（SDM2002-211）２００２年１２月２５日
多結晶Si太陽電池用ウェハの正孔密度の温度依存性のインゴット中における場所依存
石田卓也、黒田知宏、松浦秀治 [PDFファイル 260kB（本文）]
(54) 電子情報通信学会 信学技報（SDM2002-220）２００２年１２月２５日
MFMIS-FET不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の成膜と評価
中尾良昭、関本安泰、松浦秀治[PDFファイル 270kB（本文）]
(55) 第50回応用物理学会学術講演会、2003年春
電子線照射によるAl-doped 4H-SiC中の正孔密度への影響
安蘇浩一、松浦秀治、石田卓也、西川和弘、鏡原聡、岩田裕史、勝矢大輔、安藝達也、椙山浩一、福永展也、永田敬 （PDFファイル 予稿 31 KB）
(56) 第50回応用物理学会学術講演会、2003年春
ホール効果測定による10 MeVの陽子線を照射したp形Siの評価
岩田裕史、安藝達也、安蘇浩一、鏡原聡、勝矢大輔、石田卓也、松浦秀治、松田純夫 （PDFファイル 予稿 31 KB）
(57) 第50回応用物理学会学術講演会、2003年春
ホール効果測定によるN-doped 4H-SiC薄膜における不純物密度依存性に関する研究
鏡原聡、安蘇浩一、岩田裕史、勝矢大輔、安藝達也、石田卓也、松浦秀治、畠山哲夫、渡辺貴俊、児島一聡、櫛部光弘、今井聖支、四戸孝、鈴木誉也、田中知行、荒井和雄 （PDFファイル 予稿 21 KB）
(58) The Fifth International Conference on Nitride Semiconductors
Nara, Japan, May 25-30, 2003
Influence of Excited States of Mg Acceptor on Hole Concentration
in GaN
H. Matsuura, D. Katsuya, T. Ishida, S. Kagamihara, K. Aso, H. Iwata, T. Aki, S-W. Kim, T. Shibata and T. Suzuki (PDFファイル abstract 40 kB, poster 80 kB, proceeding 210 KB)
(59) The 7th International Conference on Properties and Applications
of Dielectric Materials
Nagoya, Japan, June 1-5, 2003
Formation and Characterization of Ferroelectric Sr2Nb2O7 Thin Film for MFMIS-FET Type Non-Volatile Memory
Y. Nakao, Y. Sekimoto and H. Matsuura (PDF ファイル proceeding 153 kB)
(60) International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
2003
Lyon, France, October 5-10, 2003
Reduction in Al Acceptor Density by Electron Irradiation in Al-Doped
4H-SiC
Hideharu Matsuura, Koichi Aso, So Kagamihara, Hirofumi Iwata, Takuya Ishida and K. Nishikawa (PDFファイル abstract 73.7 kB)
(61) ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第12回講演会
奈良文化会館 2003年11月6日ー7日
N-doped ４H-SiCにおける温度依存性を考慮した電子移動度及びドナー準位のドナー密度依存性
鏡原聡、石田卓也、岩田裕史、安蘇浩一、勝矢大輔、安藝達也、松浦秀治、畠山哲夫、渡邊貴俊、児島一聡、櫛部光弘、今井聖支、四戸孝、鈴木誉也、田中知行、荒井和雄 (PDFファイル 111 kB）
(62) 平成15年度電気関係学会関西支部連合大会
大阪市立大学 杉本キャンパス 2003年11月8日ー9日
酢酸を用いたTiO2ペーストによる色素増感太陽電池に関する研究 (G7-13)
本田健二、古矢賢志、松浦秀治 （PDFファイル 予稿 20.3 KB、 OHP 212 KB）
(63) 平成15年度電気関係学会関西支部連合大会
大阪市立大学 杉本キャンパス 2003年11月8日ー9日
色素増感太陽電池の短絡電流向上に関する研究 (G7-14)
古矢賢志、松浦秀治 （PDFファイル 予稿 27.5 KB、 OHP 189 KB）
(64) 第51回応用物理学会学術講演会、2004年春
10 MeVの陽子線を照射したp型Siの多数キャリア密度の変化
岩田裕史、石原諒平、今井啓太、米田雅彦、鏡原聡、石田卓也、松浦秀治、川北史郎 （PDFファイル 予稿 36.5 KB）
(65) 第51回応用物理学会学術講演会、2004年春
電子線照射によるp型Siの伝導型反転に関する研究
石原諒平、松浦秀治、岩田裕史、鏡原聡、今井啓太、米田雅彦、川北史郎、大島武、神谷富裕 （PDFファイル 予稿 28.8 KB）
(66) 第51回応用物理学会学術講演会、2004年春
陽子線照射におけるCu(In0.7,Ga0.3)Se2薄膜太陽電池中の欠陥の評価
中尾良昭、松浦秀治、鏡原聡、来住知美、仁木栄、川北史郎 （PDFファイル 予稿 38.8 KB）
(67) 第51回応用物理学会学術講演会、2004年春
Al-doped 4H-SiC薄膜のアクセプタ準位と正孔移動度のアクセプタ密度依存性
米田雅彦、松浦秀治、鏡原聡、岩田裕史、石原諒平、今井啓太、畠山哲夫、渡辺貴俊、児島一聡、四戸孝、荒井和雄 （PDFファイル 予稿 41.81 KB）
(68) 31st International Symposium on Compound Semiconductors
Seoul, Korea, September 12-16, 2004
Enhancement of Ionization Efficiency of Acceptors by Their Excited
States in Heavily Doped Wide Bandgap Semiconductors
Hideharu Matsuura (PDFファイル abstract 158 kB, proceeding 210 kB)
(69) 31st International Symposium on Compound Semiconductors
Seoul, Korea, September 12-16, 2004
Parameters required to simulate electric characteristics of SiC
devices
Sou Kagamihara, Masahiko Komeda, Hideharu Matsuura, Tetsuo Hatakeyama, Takatoshi Watanabe, Mitsuhiro Kushibe, Takashi Shinohe, and Kazuo Arai
(PDFファイル abstract 89 kB, proceeding 127 kB)
(70) 2004 Joint International Meeting
Honolulu, Hawaii, USA, October 3-8
Enhancement of Ionization Efficiency of Acceptors by Their Excited
States in Heavily Doped p-type GaN and Wide Bandgap Semiconductors
Hideharu Matsuura (PDFファイル proceeding 302 kB, OHP 792 KB)
(71) 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor
Devices for Space Application
Tsukuba, Japan, October 6-8, 2004
Change of Majority-Carrier Concentration in p-Type Silicon by
10 MeV Proton Irradiation
H. Iwata, S. Kagamihara, H. Matsuura, S. Kawakita, T. Ohshima, and T. Kamiya (PDFファイル proceeding 125 kB)
(72) ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第13回講演会
名古屋国際会議場 2004年10月21日ー22日
（招待講演）
ホール効果測定からのSiC中の不純物評価
松浦秀治 (PDFファイル 予稿 70 KB、OHP 1.54 MB）
(73) 平成15年度電気関係学会関西支部連合大会
同志社大学 京田辺キャンパス 2004年11月27日
ZnOを用いた色素増感太陽電池の短絡電流向上に関する研究 (G7-06)
仲野雅都、 飯田時由、松浦秀治 （ 予稿 33 KB、 OHP 664 KB）
(74) International Conference on Materials for Advanced TEchnologies (ICMAT2005)
Singapore, July 3-8, 2005
Mechanisms of reduction in hole concetration in Al-doped 4H-SiC by
electron irradiation
H. Matsuura, S. Kagamihara, Y. Itoh, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル abstract 452 KB OHP 120KB)
(75) The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23)
Awaji Island, July 24-29, 2005
Relationship between defects induced by irradiation and reduction
of hole concentration in Al-doped 4H-SiC
H. Matsuura,S. Kagamihara, Y. Itoh, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル abstract 519 KB, OHP 2.1MB)
(76) 第66回応用物理学会学術講演会、2005年秋
徳島大学 2005年9月7日－10日
Al-doped 4H-SiCエピ膜中の深いアクセプタ準位の同定
松浦秀治、鏡原聡、伊藤裕司、大島武、伊藤久義 （PDFファイル 予稿 30.6 KB）
(77) 第6回半導体の放射線照射効果研究会
日本原子力研究開発機構 高崎量子応用研究所 2005年12月9日
Al-doped 4H-SiCエピ膜の正孔密度減少の電子線照射エネルギー依存性
松浦秀治、鏡原聡、伊藤裕司、大島武、伊藤久義 （PDFファイル 予稿 232 KB、Power Point 262 KB）
(78) 第1回高崎量子応用研究シンポジウム
高崎シティーギャラリー 2006年6月27日・28日
電子線照射によるAl-doped 4H-SiC中の正孔密度減少のメカニズム解明
松浦秀治、蓑原伸正、稲川祐介、鏡原聡、伊藤裕司、大島武、伊藤久義 （PDFファイル 予稿 112 KB、Poster 98 KB）
(79) 第67回応用物理学会学術講演会、2006年秋
立命館大学(草津) 2006年8月29日－9月1日
Al-doped 4H-SiCエピ膜中の正孔密度の200 keV電子線照射量依存性
蓑原伸正、稲川祐介、高橋美雪、松浦秀治、大島武、伊藤久義 （PDFファイル 予稿 137 KB）
(80) 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
(ECSCRM2006)
Newcastle upon Nyne, UK, September 3-7, 2006
Mechanisms of Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by
Irradiation of 200 keV Electrons
H. Matsuura, N. Minohara, Y. Inagawa, M. Takahashi, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル abstract 53 KB, Poster 113 KB)
(81) 2nd International Student Conference at Ibaraki University
Ibaraki, Japan, October 5-6, 2006
Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of
200 keV Electrons
N. Minohara, Y. Inagawa, M. Takahashi, H. Matsuura, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル abstract 108 KB, Proceeding 238 KB)
(82) 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor
Devices for Space Application
Takasaki, Japan, October 16-18, 2006
Si Substrate Suitable for Radiation-Resistant Space Solar Cells
H. Matsuura, S. Kawakita, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル proceeding 198 kB, poster 75 KB)
(83) 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor
Devices for Space Application
Takasaki, Japan, October 16-18, 2006
Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of
200 keV Electrons
H. Matsuura, N. Minohara, M. Takahashi, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル proceeding 195 kB, poster 115 KB)
(84) ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会
高崎シティーギャラリー 2006年11月9日ー10日
p型4H-SiCの耐放射線性
松浦秀治、蓑原伸正、高橋美雪、大島武、伊藤久義 (PDFファイル 予稿 182 KB、Poster 152 KB）
(85) 平成18年度電気関係学会関西支部連合大会
大阪工業大学 枚方キャンパス 2006年11月25日
異なる粒子径を用いたZnOの焼成温度に関する研究 (G7-7)
飯田時由、仲野雅都、 松浦秀治 （ 予稿 121 KB、 OHP 556 KB）
(86) 14th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XIV
2007)
Feyatteville, Arkansas, USA, May 15-20, 2007
Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HgI2: application of discharge current transient spectroscopy
H. Matsuura, M. Takahashi, S. Nagata, and K. Taniguchi (PDFファイル abstract 91.2 kB, power point 386 KB)
(87) 14th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XIV
2007)
Feyatteville, Arkansas, USA, May 15-20, 2007
A graphical peak analysis method for characterizing impurities in
SiC, GaN and diamond from temperature-dependent majority-carrier concentration
H. Matsuura (PDFファイル abstract 127 kB, poster 210 KB)
(88) 1st International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2007)
Osaka, Japan, May 28-31, 2007
A graphical peak analysis method for characterizing impurities in
diamond from temperature-dependent majority-carrier concentration
H. Matsuura, N. Minohara, T. Morizono, A. Sotodate, T. Takebe, H. Umezawa, and S. Shikata (PDFファイル abstract 114 kB, poster 89.1 KB)
(89) 第68回応用物理学会学術講演会
北海道工業大学 2007年9月5日
1MeV電子線照射によるAl-doped 6H-SiCの正孔密度とアクセプタ密度の変化
井澤圭亮, 蓑原伸正, 外館憲、 松浦秀治, 大島武, 伊藤久義 （
予稿 124 KB)
(90) 第68回応用物理学会学術講演会
北海道工業大学 2007年9月5日
200 keV電子線照射実験からのAl-doped 4H-SiCエピ膜中の深いアクセプタの起源の考察
蓑原伸正, 稲川祐介, 高橋美雪、 松浦秀治, 大島武, 伊藤久義 （ 予稿 17 KB)
(91) 第68回応用物理学会学術講演会
北海道工業大学 2007年9月6日
高純度半絶縁性4H-SiCを用いた室温動作可能なX線検出素子の可能性
高橋美雪、前田健寿、山本和代、 松浦秀治 （ 予稿 126 KB)
(92) International Conference on SiC and Related Materials 2007
Otsu, Siga, Japan, October 15-19, 2007
Characterization of Traps in Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current
Transient Spectroscopy
M. Takahashi, H. Matsuura (PDFファイル abstract kB, poster KB)
(93) International Conference on SiC and Related Materials 2007
Otsu, Siga, Japan, October 15-19, 2007
Possibility of High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Being Used as Portable
X-Ray Detector Operating at Room Temperature
H. Matsuura, M. Takahashi (PDFファイル abstract kB, poster KB)
(94) 第12回結晶工学セミナー(結晶工学スクール応用編)「電気・光学計測技術の基礎と応用」－ワイドバンドギャップ半導体編－
学習院創立百周年記念会館 2007年10月4日
Hall測定によるワイドギャップ半導体中の不純物の評価
松浦秀治 （ 予稿 818 KB)
(95) 高橋美雪、松浦秀治.
放電電流過渡分光法による高純度半絶縁性4H-SiC中の欠陥評価.
ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ 半導体研究会 第16回講演会,
愛知県女性総合センター（ウィルあいち）2007年11月29日－30日
(96) 蓑原伸正、稲川祐介、高橋美雪、松浦秀治, 大島武, 伊藤久義.
200 keV電子線照射におけるAl-doped 4H-SiCエピ膜の 耐放射線性.
ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会, 愛知県女性総合センター（ウィルあいち）2007年11月29日－30日
(97) 田野翔一、高橋美雪、加川義隆、三宅貴之、松浦秀治.
高純度半絶縁性4H-SiCを用いたダイオードの電流－電圧特性.
第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学 2008年9月2日から5日
(98) 西野公三、蓑原伸正、松浦秀治、大島武.
電子線照射により生じるAl-doped 4H-SiCのC原子変位によるアクセプタ密度減少の検証.
第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学 2008年9月2日から5日
(99) 三宅貴之、田野翔一、加川義隆、高橋美雪、松浦秀治.
DCTS法による高純度半絶縁性4H-SiC中の欠陥評価.
第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学 2008年9月2日から5日
(100) Hideharu Matsuura, Miyuki Takahashi, Yoshitaka Kagawa, Shoichi Tano, and Takayuki Miyake.
Determination of Intrinsic Defects in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy.
7th European Conference on SiC and Related Materials 2008, Barcelona,
Spain, September7-11, 2008
(101) 柳澤英樹、伊澤圭亮、西野公三、松浦秀治、大島武.
200 keV電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ 密度の変化.
ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会, 大田区産業プラザ 2008年12月8日－9日
(102) 西野公三、蓑原伸正、柳澤英樹、松浦秀治、大島武.
電子線照射により生じるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度の減少機構.
ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会, 大田区産業プラザ 2008年12月8日－9日
(103) 三宅貴之、田野翔一、松浦秀治.
DCTS法による高純度半絶縁性4H-SiC中の欠陥評価.
ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会, 大田区産業プラザ 2008年12月8日－9日
(104) 松浦秀治.
個別討論会報告「シミュレーション技術のSiCへの応用」.
ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会, 大田区産業プラザ 2008年12月8日－9日
(105) 松浦秀治、高橋美雪、小原一徳、山本和代、前田健寿、加川義隆.
X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究.
電子情報通信学会 信学技報（SDM2008-185）2008年12月5日
(106) Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Yoshiko Myojin,
Takunori Nojiri, Yukei Matsuyama, and Takeshi Ohshima.
Mechanisms of changes of hole concentration in Al-doped 6H-SiC by
electron irradiation and annealing.
The 25th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS25),
St. Peterburg, Russia, July 20-24, 2009
(107) 柳澤英樹、西野公三、松浦秀治、大島武.
100 keV電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度の変化
第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学 2009年9月8日から11日
(108) 西野公三、蓑原伸正、松浦秀治、大島武.
電子線照射によるSiC結晶中の原子変位閾値エネルギーの検討.
第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学 2009年9月8日から11日
(109) 北野谷征吾、松浦秀治、三宅貴之、谷口征大.
X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化.
第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学 2009年9月8日から11日
(110) 柳澤英樹、西野公三、野尻琢慎、松浦秀治、小野田忍、大島武.
100 keV電子線照射とアニールによるAl-doped 6H-SiCエピ膜中の正孔密度の増加.
ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会, 神戸国際会議場 2009年12月17日－18日
(111) 西野公三、柳澤英樹、野尻琢慎、松浦秀治、小野田忍、大島武.
C原子変位により生じるAl-doped 4H-SiCのアクセプタ密度の変化について.
ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会, 神戸国際会議場 2009年12月17日－18日
(112) 野尻琢慎、柳澤英樹、明神善子、松浦秀治、大島武.
電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化.
電子情報通信学会 信学技報（SDM2009-153）2009年12月4日
(113) 柳澤英樹、西野公三、野尻琢慎、松浦秀治、大島武.
200 keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究
電子情報通信学会 信学技報（SDM2009-154）2009年12月4日
(114) 西野公三、柳澤英樹、野尻琢慎、松浦秀治、大島武.
電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプア密度減少について.
電子情報通信学会 信学技報（SDM2009-155）2009年12月4日
(115) 北野谷征吾、三宅貴之、谷口征大、松浦秀治.
X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化.
電子情報通信学会 信学技報（SDM2009-160）2009年12月4日
(116) 柳澤英樹、西野公三、松浦秀治、小野田忍、大島武.
電子線照射とアニールによるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度の変化.
第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学 湘南キャンパス 2010年3月17日から20日
(117) 野尻琢慎、西野公三、柳澤英樹、松浦秀治、小野田忍、大島武.
電子線照射によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中の原子変位閾値エネルギーの検討.
第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学 湘南キャンパス 2010年3月17日から20日
(118) 北野谷征吾、三宅貴之、松浦秀治.
シミュレーションによるX線検出素子(Silicon Drift Detector)の評価.
第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学 湘南キャンパス 2010年3月17日から20日
(119) H. Matsuura, H. Yanagisawa, K. Nishino, T. Nojiri, S. Onoda, T. Ohshima.
Reduction in Majority-Carrier Concentration in Lightly-Doped 4H-SiC epilayers by Electron Irradiation.
The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
(ECSCRM8th), Oslo, Norway, August 29-September 2
(119) 野尻琢慎、西野公三、柳澤英樹、松浦秀治、小野田忍、大島武.
200 keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の耐放射線性.
第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学 2010年9月14日から17日
(120) 北野谷征吾、西川誠二、松浦秀治.
X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化.
第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学 2010年9月14日から17日
(121) Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Takunori Nojiri,
Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima.
Reduction in Majority-Carrier Concentration in N-Doped or Al-Doped 4H-SiC Epilayers by Electron Irradiation.
Proceedings of 9th International Workshop on Radiation Effects on
Semiconductor Devices for Space Applications, Takashaki, Japan, Oct. 27-29,
2010
(122) 北野谷征吾、西川誠二、松浦秀治.
X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化.
電子情報通信学会 信学技報（SDM2010-186）2010年12月
(123) 西川誠二、北野谷征吾、松浦秀治.
放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果.
電子情報通信学会 信学技報（SDM2010-194）2010年12月
(124) 野尻琢慎、西野公三、柳澤英樹、松浦秀治、小野田忍、大島武.
200 keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化.
電子情報通信学会 信学技報（SDM2010-195）2010年12月
(125) 西川誠二、北野谷征吾、松浦秀治.
放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果.
第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学 2011年3月24日から27日
(126) 北野谷征吾、西川誠二、松浦秀治.
X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化.
第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学 2011年3月24日から27日
(127) Hideharu Matsuura, Derek Hullinger, Ryota Okada, Seigo Kitanoya,
Seiji Nishikawa, and Keith Decker.
Possibilities for Thick, Simple-Structure Silicon X-Ray Detectors
Operating by Peltier Cooling.
International Conference on Materials and Applications for Sensors
and Transducers, Kos Island, Greece, May 13-17, 2011
(128) 岡田亮太、西川誠二、松浦秀治.
SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減した新たなX線検出素子の提案.
第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学 2011年8月29日から9月2日
(129) 西川誠二、岡田亮太、松浦秀治.
犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの放電電流過渡分光法を用いた放出割合の温度依存性.
第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学 2011年8月29日から9月2日
(130) Seiji Nishikawa, Ryota Okada, and Hideharu Matsuura.
Effects of Sacrifical Oxidatin on Characterization of Defects in Hi-Purity
Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy.
International Conference on SiC and Related Materials 2011, Cleveland,
Ohio, USA, September 11-16, 2011
(131) 西川誠二、岡田亮太、松浦秀治.
放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの放出割合の温度依存性.
ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第20回講演会, 愛知県産業労働センター 2011年12月8日－9日
(132) 藤井崇裕、中尾翔、中尾一亮、安田達哉、松浦秀治.
高分子系有機薄膜太陽電池の作製と評価 (29A1-10).
平成２３年電気関係学会関西支部連合大会, 兵庫県立大学 2011年10月29日
(133) 西川誠二、岡田亮太、松浦秀治.
放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価.
電子情報通信学会 信学技報（SDM2011-136）2011年12月16日
(134) 岡田亮太、西川誠二、松浦秀治.
SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案.
電子情報通信学会 信学技報（SDM2011-144）2011年12月16日
(135) 西川誠二、岡田亮太、松浦秀治.
犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの放電電流過渡分光法による欠陥評価.
第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学早稲田キャンパス 2012年3月15日～18日
(136) Hideharu Matsuura, Derek Hunninger, Ryota Okada, and Keith Decker.
Possibilities for Thick, Simple-structure X-ray Detectors Operated
by Peltier Cooling and One High Voltage Bias.
BIT's 1st Annual Conference and Expo of AnalytiX-2012, Beijin, Chaina,
March 23-25, 2012 (Invited)
(137) 村田耕司、松浦秀治、小野田忍、大島武
電子線照射によるSiCの散乱機構の変化
第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学、2012年9月12日 （ 予稿 210 KB)
(138) 岡田亮太、西川祐二郎、松浦秀治
低価格X線検出素子(Silicon Drift Detector)構造の提案
第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学、2012年9月13日 （ 予稿 624 KB)
(1) 12th Int. Conf. Amorphous & Liquid
Semiconductors,
Prague, August, 1987;
Schottky barrier junctions of hydrogenated
amorphous silicon-
germanium alloys:
Hideharu Matsuura, Hideyo Okushi, and Kazunobu Tanaka.
(2) Materials Research Society Symposium,
Reno Nev., April, 1988;
The density-of-state distribution in
undoped a-Si:H and a-SiGe:H
determined by heterojunctions with
c-Si:
Hideharu Matsuura and Kazunobu Tanaka.
(3) Int. Topical Conf. Hydrogenated Amorphous
Silicon Devices and Technology,
Yorktown Heights N.Y., November, 1988;
(Invited)
Properties of amorphous silicon/crystalline
silicon heterojunctions:
Hideharu Matsuura.
(4) 13th Int. Conf. Amorphous & Liquid
Semiconductors,
Asheville N.C., August, 1989;
Optically and thermally induced reversible
changes of midgap states in undoped a-Si:H:
Hideharu Matsuura.
(5) International Conference on Silicon
Carbide and Related Materials 1999
North Carolina, U.S.A., 1999;
Electrical properties of 3C-SiC grown on Si by CVD method using Si2(CH3)6
T. Masuda, Y. Chen, H. Matsuura, H. Harima and S. Nishino （PDF ファイル 24.2 kB)
(6) Third European Conference on Silicon Carbide
and Related Materials Kloster Banz, Germany,
2000;
Donor Densities and Donor Levels in 3C-SiC Determined by a New Method
Based on Hall-Effect Measurements
H. Matsuura, T. Masuda, Y. Chen, and S. Nishino （PDF ファイル 24.5 kB, PDFファイル ポスター 63.8 kB, プロシーディング 118 kB)
(7) International Conference on Silicon
Carbide and Related Materials 2001
Tsukuba, Japan, October 28-November
2, 2001
Influence of Excited States of Deep Acceptors on Hole Concentrations
in SiC
Hideharu Matsuura (PDFファイル abstract 63 kB, proceeding 135 kB, poster 216 kB)
(8) European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2002
Linkoping, Sweden, September 1-5, 2002
Real Relationship between Acceptor Density and Hole Concentration
in Al-implanted 4H-SiC
H. Matsuura, K. Sugiyama, K. Nishikawa, T. Nagata and N. Fukunaga (PDFファイル abstract 64 kB, proceeding 136 kB, poster 96.2 kB)
(9) International Conference on Polycrysatlline Semiconductors
2002
Nara, Japan, September 10-14, 2002
Relationship between Abnormal Temperature Dependence of Hole
Concentration in p-type Polycrystalline Si Wafers and Efficiency of Solar
Cell
H. Matsuura, T. Ishida, K. Nishikawa, N. Fukunaga and T. Kuroda (PDFファイル abstract 72 kB, proceeding 169kB)
(10) 5th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor
Devices for Space Application
Takasaki, Japan, October 9-11, 2002
Annealing Behavior of Donors Formed by High-Fluence Irradiation
of High-Energy Particles in p-type Silicon
H. Matsuura, T. Ishida, Y. Kirihataya, O. Anzawa and S. Matsuda (PDFファイル abstract 16 kB, proceeding 112 kB)
(11) The Fifth International Conference on Nitride Semiconductors
Nara, Japan, May 25-30, 2003
Influence of Excited States of Mg Acceptor on Hole Concentration
in GaN
H. Matsuura, D. Katsuya, T. Ishida, S. Kagamihara, K. Aso, H. Iwata, T. Aki, S-W. Kim, T. Shibata and T. Suzuki (PDFファイル abstract 40 kB, poster 80 kB, proceeding 210 kB)
(12) The 7th International Conference on Properties and Applications
of Dielectric Materials
Nagoya, Japan, June 1-5, 2003
Formation and Characterization of Ferroelectric Sr2Nb2O7 Thin Film for MFMIS-FET Type Non-Volatile Memory
Y. Nakao, Y. Sekimoto and H. Matsuura (PDF ファイル proceeding 153 kB)
(13) International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
2003
Lyon, France, October 5-10, 2003
Reduction in Al Acceptor Density by Electron Irradiation in Al-doped
4H-SiC
Hideharu Matsuura, Koichi Aso, So Kagamihara, Hirofumi Iwata, Takuya Ishida and Kazuhiro Nishikawa (PDFファイル abstract 73.7 kB, proceeding 181 kB, poster 93 kB)
(14) 31st International Symposium on Compound Semiconductors
Seoul, Korea, September 12-16, 2004
Enhancement of Ionization Efficiency of Acceptors by Their Excited
States in Heavily Doped Wide Bandgap Semiconductors
Hideharu Matsuura (PDFファイル abstract 158 kB, proceeding 210 kB)
(15) 31st International Symposium on Compound Semiconductors
Seoul, Korea, September 12-16, 2004
Parameters required to simulate electric characteristics of SiC
devices
Sou Kagamihara, Masahiko Komeda, Hideharu Matsuura, Tetsuo Hatakeyama, Takatoshi Watanabe, Mitsuhiro Kushibe, Takashi Shinohe, and Kazuo Arai
(PDFファイル abstract 89 kB, proceeding127 kB)
(16) 2004 Joint International Meeting
Honolulu, Hawaii, USA, October 3-8
Enhancement of Ionization Efficiency of Acceptors by Their Excited
States in Heavily Doped p-type GaN and Wide Bandgap Semiconductors
Hideharu Matsuura (PDFファイル proceeding 302 kB, OHP 792 KB)
(17) 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
Tsukuba, Japan, October 6-8, 2004
Change of Majority-Carrier Concentration in p-Type Silicon by
10 MeV Proton Irradiation
H. Iwata, S. Kagamihara, H. Matsuura, S. Kawakita, T. Ohshima, and T. Kamiya (PDFファイル proceeding 125 kB)
(18) International Conference on Materials for Advanced TEchnologies (ICMAT2005)
Singapore, July 3-8, 2005
Mechanisms of reduction in hole concetration in Al-doped 4H-SiC by
electron irradiation
H. Matsuura, S. Kagamihara, Y. Itoh, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル abstract 452 KB OHP 120KB)
(19) The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23))
Awaji Island, July 24-29, 2005
Relationship between defects induced by irradiation and reduction
of hole concentration in Al-doped 4H-SiC
H. Matsuura, S. Kagamihara, Y. Itoh, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル abstract 519 KB, OHP 2.1MB)
(20) 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
(ECSCRM2006)
Newcastle upon Nyne, UK, September 3-7, 2006
Mechanisms of Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by
Irradiation of 200 keV Electrons
H. Matsuura, N. Minohara, Y. Inagawa, M. Takahashi, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル abstract 53 KB, Poster 113 KB)
(21) 2nd International Student Conference at Ibaraki University
Ibaraki, Japan, October 5-6, 2006
Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of
200 keV Electrons
N. Minohara, Y. Inagawa, M. Takahashi, H. Matsuura, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル abstract 108 KB, proceeding 238 KB)
(22) 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor
Devices for Space Application
Takasaki, Japan, October 16-18, 2006
Si Substrate Suitable for Radiation-Resistant Space Solar Cells
H. Matsuura, S. Kawakita, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル proceeding 198 kB, poster 75 KB)
(23) 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor
Devices for Space Application
Takasaki, Japan, October 16-18, 2006
Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of
200 keV Electrons
H. Matsuura, N. Minohara, M. Takahashi, T. Ohshima, and H. Itoh (PDFファイル proceeding 195 kB, poster 115 KB)
(24) 14th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XIV
2007)
Feyatteville, Arkansas, USA, May 15-20, 2007
Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HgI2: application of discharge current transient spectroscopy
H. Matsuura, M. Takahashi, S. Nagata, and K. Taniguchi (PDFファイル abstract 91.2 kB, power point 386 KB)
(25) 14th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XIV
2007)
Feyatteville, Arkansas, USA, May 15-20, 2007
A graphical peak analysis method for characterizing impurities in
SiC, GaN and diamond from temperature-dependent majority-carrier concentration
H. Matsuura (PDFファイル abstract 127 kB, poster 210 KB)
(26) 1st International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2007)
Osaka, Japan, May 28-31, 2007
A graphical peak analysis method for characterizing impurities in
diamond from temperature-dependent majority-carrier concentration
H. Matsuura, N. Minohara, T. Morizono, A. Sotodate, T. Takebe, H. Umezawa, and S. Shikata (PDFファイル abstract 114 kB, poster 89.1 KB)
(27) International Conference on SiC and Related Materials 2007
Otsu, Siga, Japan, October 15-19, 2007
Characterization of Traps in Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current
Transient Spectroscopy
M. Takahashi, H. Matsuura (Abstract Proceeding )
(28) 7th European Conference on SiC and Related
Materials 2008, Barcelona, Spain, September7-11, 2008
Determination of Intrinsic Defects
in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy
Hideharu Matsuura, Miyuki Takahashi, Yoshitaka
Kagawa, Shoichi Tano, and Takayuki Miyake (abstract 302 KB poster 108 KB)
(29) The 25th International Conference on Defects in Semiconductors
(ICDS25), St. Peterburg, Russia, July 20-24, 2009
Mechanisms of changes of hole
concentration in Al-doped 6H-SiC by electron irradiation and annealing
Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino,
Yoshiko Myojin, Takunori Nojiri, Yukei Matsuyama, and Takeshi Ohshima (abstract 66 kB power point 1.2 MB)
(30) The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
(ECSCRM8th), Oslo, Norway, August 29-September 2
Reduction in Majority-Carrier
Concentration in Lightly-Doped 4H-SiC epilayers by Electron Irradiation
H. Matsuura, H. Yanagisawa, K. Nishino,
T. Nojiri, S. Onoda, T. Ohshima (abstract 79.8 kB postert 223 MB)
(31) 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor
Devices for Space Applications, Takashaki, Japan, Oct. 27-29, 2010
Reduction in Majority-Carrier
Concentration in N-Doped or Al-Doped 4H-SiC Epilayers by Electron Irradiatin
Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Takunori Nojiri, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima (proceeding 91 kB power point 522 kB)
(32) International Conference on Materials and Applications for Sensers
and Transducers, Kos Island, Greece, May 13-17, 2011
Possibilities for Thick, Simple-Structure
Silicon X-Ray Detectors Operating by Peltier Cooling
Hideharu Matsuura, Derek Hunninger, Ryota Okada, Seigo Kitanoya, Seiji Nishikawa, and Keith Decker (abstract 28.4 KB, power point 2.36 MB)
(33) International Conference on SiC and Related Materials 2011, Cleveland,
Ohio, USA, September 11-16, 2011
Effects of Sacrifical Oxidatin
on Characterization of Defects in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by
Discharge Current Transient Spectroscopy
Seiji Nishikawa, Ryota Okada, and Hideharu Matsuura (abstract, poster)
(34) BIT's 1st Annual Conference and Expo of AnalytiX-2012, Beijin,
Chaina, March 23-25, 2012
(invited)
Possibilities for Thick, Simple-structure
X-ray Detectors Operated by Peltier Cooling and One High Voltage Bias
Hideharu Matsuura, Derek Hunninger, Ryota Okada, and Keith Decker (abstract 61.2 KB, power point 4.56 MB, photo5.39 MB, PhotoPDF 2.63 MB)
(1) 半導体にオーミックコンタクトする電極 （特許第１８７０２９６）
松浦秀治、大串秀世、松田彰久、田中一宜、奥野哲啓
(2) アモルファス光電変換素子 （特許第１６２７９３８）（米国特許番号 第４５３２３７３）
松浦秀治、田中一宜、松田彰久、大串秀世、大枝秀俊、山崎聡、秦信宏
(3) 半導体装置 （特開平１１－１８６２８５、特許３８８３６７８）
松浦秀治、西田克彦、谷口一雄
(4) 放射線検出器 （特願２００６－３３６７２７、特開２００８－１５３２５６）
松浦秀治、谷口一雄、宇高忠
(5) 放射線検出器 （特願２００７－０９８０３７、特開２００８－２５８３４８）
松浦秀治、谷口一雄、宇高忠
(6) 放射線検出素子用のシリコンカーバイド及び放射線検出方法 （国際出願番号 PCT/JP2007/65727、特願２００８－５５８１３３）
松浦秀治
(7) 放射線検出装置 （国際出願番号 PCT/JP2007/65728、特願２００８－５５８１３４）
松浦秀治
(8) 放射線検出器 （特願２００９－１５７６２７）
松浦秀治
（１） 東陽テクニカ 物性計測セミナー 「ホール測定等によるワイドギャップ半導体の評価・解析手法について」
松浦秀治 案内１、案内2
2010年5月11日(火)
松浦研究室に関係のある著者には、下線が付けてあります。
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